[发明专利]陀螺仪驱动质量和检测质量同时耦合的交叉结构加工工艺有效
| 申请号： | 201710306795.2 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN106969759B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 梁冰;杨荣彬 | 申请（专利权）人： | 成都振芯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01C19/56 | 分类号： | G01C19/56 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种陀螺仪驱动质量和检测质量同时耦合的交叉结构加工工艺，涉及陀螺仪结构加工领域。它包括沉积多晶硅及氧化层、将多晶硅及氧化层进行刻蚀、对氧化层进行平整化和释放所有的氧化层。本发明提供一种陀螺仪驱动质量和检测质量同时耦合的交叉结构加工工艺，可以同时实现微机械陀螺仪的共模抑制能力以及降低需要的驱动电压、增大驱动位移，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 陀螺仪 驱动 质量 检测 同时 耦合 交叉 结构 加工 工艺 | ||
【主权项】：
陀螺仪驱动质量和检测质量同时耦合的结构加工工艺，其特征在于，它包括沉积多晶硅及氧化层、将多晶硅及氧化层进行刻蚀、对氧化层进行平整化和释放所有的氧化层，具体包括如下步骤：在硅衬底上沉积绝缘层；沉积厚度为2~3um的氧化层并且平整化结构表面；将氧化层刻蚀形成交叉结构的底面掩膜；刻蚀多晶硅形成结构层底面、交叉结构底面和释放孔；平整化该氧化层并沉积一层多晶硅；在多晶硅上刻蚀出结构层的中间层、交叉结构的连杆以及释放孔；整化氧化层并再沉积一个氧化层；刻蚀氧化层形成交叉结构上层的掩膜并沉积一层多晶硅；刻蚀上一步骤沉积的多晶硅，支座结构层上层、交叉结构上层与释放孔，最后释放所有的氧化层形成可动结构。
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