[发明专利]含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源

摘要

本发明涉及含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源，具体而言，通过下列步骤将薄层的含硅碳膜沉积在衬底上：从被提供给自由基发生室的氢气产生氢自由基；将氢自由基提供给经由多舱口气体分配器与衬底处理室分立的衬底处理室；以及使其中的氢自由基与同时被引入到衬底处理室的有机硅反应物作反应。在与有机硅反应物反应之前，氢自由基被允许在衬底处理室内的自由基弛豫区内弛豫到基态。