[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710307435.4 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108807414B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 冯立伟;何建廷;邹世芳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法包括，首先形成一第一凹槽于一基底内，然后形成一第一浅沟隔离于第一凹槽内并同时形成一第二凹槽于第一凹槽旁，其中浅沟隔离包含一上半部以及一下半部且上半部上表面切齐或高于第二凹槽下表面，之后再形成一导电层于第一凹槽及第二凹槽内以形成第一栅极结构与第二栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，包括：形成一第一凹槽于一基底内；形成一第一浅沟隔离于该第一凹槽内以及一第二凹槽于该第一凹槽旁，其中该浅沟隔离包含一上半部以及一下半部且该上半部上表面切齐或高于该第二凹槽下表面；以及形成一导电层于该第一凹槽及该第二凹槽内以形成第一栅极结构以及第二栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
