[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

摘要

从作为n‑漂移层的n型半导体基板的背面重复进行多次质子照射，在n‑漂移层的基板背面侧的内部，形成电阻比n型半导体基板低的n型FS层。进行用于形成该n型FS层的多次质子照射时，为了补偿前次的质子照射中残留的无序(7)所导致的迁移率降低，进行下次的质子照射。此时，对于第二次之后的质子照射，以利用其前一次的质子照射形成的无序(7)的位置为目标进行质子照射。由此，即使在质子照射和热处理后，也能够形成无序(7)也少、能够抑制漏电流的增加等的特性不良的产生、并且具有高浓度的氢相关施主层的n型FS层。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：耐压保持用pn结，设置于n型半导体基板的一个主面侧；以及n型电场终止层，设置于所述n型半导体基板的另一个主面侧的内部，且电阻比所述n型半导体基板低，用于抑制耗尽层从所述耐压保持用pn结扩展，所述n型电场终止层是通过质子照射使得形成在所述n型半导体基板的内部的结晶缺陷被施主化而成的区域，并形成在所述n型半导体基板的深度方向的不同位置具有多个杂质浓度峰的杂质浓度分布，所述n型电场终止层的所述杂质浓度峰的位置和所述n型半导体基板的另一个主面之间的距离大于该杂质浓度峰的位置和与该杂质浓度峰在所述n型半导体基板的一个主面侧相邻的所述杂质浓度峰的位置之间的距离，多个所述杂质浓度峰包括多个所述杂质浓度峰中最靠近所述n型半导体基板的一个主面侧的第一杂质浓度峰、与所述第一杂质浓度峰在所述n型半导体基板的另一个主面侧相邻的第三杂质浓度峰、以及与所述第三杂质浓度峰在所述n型半导体基板的另一个主面侧相邻的第二杂质浓度峰，所述第一杂质浓度峰位于距离所述n型半导体基板的另一个主面有15μm以上的深度，所述第一杂质浓度峰与所述第二杂质浓度峰之间的距离小于所述第二杂质浓度峰的位置与所述n型半导体基板的另一个主面之间的距离。