[发明专利]一种悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710308536.3 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN107275398A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 金智;姚尧;黄昕楠;史敬元;彭松昂;张大勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管结构，包括基板；形成于基板上的源漏区域；形成于源漏区域之间的沟道沟槽；形成于源漏区域中的重掺杂欧姆接触区域；形成于重掺杂欧姆接触区域上方的源漏电极；其中悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管结构还包括石墨烯薄膜，石墨烯薄膜位于沟道沟槽的上方，与部分源漏区域接触形成异质结，且在石墨烯薄膜上形成栅介质层和栅极电极。本发明还提供一种制备悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管结构的方法。本发明能够改善石墨烯场效应晶体管的电流开关比，并且抑制基板散射，提升载流子迁移率，有效提高晶体管器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 悬浮 石墨 硅异质 结晶体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管结构，包括：基板；形成于所述基板上的源漏区域；形成于所述源漏区域之间的沟道沟槽；形成于所述源漏区域中的重掺杂欧姆接触区域；形成于所述重掺杂欧姆接触区域上方的源漏电极；其特征在于，所述悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管结构还包括石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜位于所述沟道沟槽的上方，与部分所述源漏区域接触形成异质结，且在所述石墨烯薄膜上形成有栅介质层和栅极电极。
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