[发明专利]一种微显示OLED器件及制造方法在审
申请号: | 201710309732.2 | 申请日: | 2017-05-04 |
公开(公告)号: | CN106960865A | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 田国军;黎守新 | 申请(专利权)人: | 成都晶砂科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种微显示OLED器件,所述微显示OLED器件包括CMOS电路、阴极、电子注入层EIL、电子传输层ETL、发光层EML、空穴传输层HTL、空穴注入层HIL、阳极、封装薄膜层;在CMOS电路上依次设置阴极、电子注入层EIL、电子传输层ETL、发光层EML、空穴传输层HTL、空穴注入层HIL、阳极、封装薄膜层,发光层发出的光从阳极方向透射出来本发明所提供的一种微显示OLED器件结构及其制作方法,使硅基微显示OLED可以采用与玻璃基板上的OLED相同的阳极和阴极材料,而且使OLED与CMOS工艺完美结合,有利于硅基微显示OLED简化制程、提高良品率、降低成本、改进性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示 oled 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种微显示OLED器件,其特征在于,所述微显示OLED器件包括CMOS电路、阴极、电子注入层EIL、电子传输层ETL、发光层EML、空穴传输层HTL、空穴注入层HIL、阳极、封装薄膜层;在CMOS电路上依次设置阴极、电子注入层EIL、电子传输层ETL、发光层EML、空穴传输层HTL、空穴注入层HIL、阳极、封装薄膜层,发光层发出的光从阳极方向透射出来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的