[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201710310992.1 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807535B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王楠;潘梓诚;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部，鳍部的侧壁包括第一侧壁区和位于第一侧壁区上的第二侧壁区；在半导体衬底和鳍部上形成层间介质层，层间介质层中具有暴露出鳍部部分侧壁表面和部分顶部表面的开口；在开口的侧壁和底部形成目标功函数层，目标功函数层包括仅覆盖第一侧壁区的第一目标区和仅覆盖第二侧壁区的第二目标区，第二目标区和位于鳍部顶部表面上的目标功函数层中掺杂有改性离子，第一目标区具有第一有效功函数值，第二目标区、以及位于鳍部顶部表面上的目标功函数层具有第二有效功函数值，第一有效功函数值小于第二有效功函数值。所述方法提高了鳍式场效应晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部，所述鳍部的侧壁包括第一侧壁区和位于第一侧壁区上的第二侧壁区；在所述半导体衬底和鳍部上形成层间介质层，所述层间介质层中具有暴露出鳍部部分侧壁表面和部分顶部表面的开口；在所述开口的侧壁和底部形成目标功函数层，所述目标功函数层包括仅覆盖第一侧壁区的第一目标区和仅覆盖第二侧壁区的第二目标区，第二目标区和位于鳍部顶部表面上的目标功函数层中掺杂有改性离子，目标功函数层第一目标区具有第一有效功函数值，目标功函数层第二目标区、以及位于鳍部顶部表面上的目标功函数层具有第二有效功函数值，第一有效功函数值小于第二有效功函数值。
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