[发明专利]具有共用一个滤色器和微透镜的光电二极管的图像传感器有效
申请号: | 201710311914.3 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN107579084B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 李元俊 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种图像传感器。该图像传感器可以包括第一光电二极管和第二光电二极管;第一滤色器,由第一光电二极管和第二光电二极管共用;以及第一浮置扩散区和第二浮置扩散区,分别耦接至第一光电二极管和第二光电二极管。 | ||
搜索关键词: | 具有 共用 一个 滤色器 透镜 光电二极管 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:第一浮置扩散区以及第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管,所述第一浮置扩散区以及所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管和所述第四二极管组合形成第一单位像素;第二浮置扩散区以及第五二极管、第六二极管、第七二极管和第八二极管,所述第二浮置扩散区以及所述第五二极管、所述第六二极管、所述第七二极管和所述第八二极管组合形成第二单位像素,其中,第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管围绕并且共用第一浮置扩散区,其中,第五二极管、第六二极管、第七二极管和第八二极管围绕并且共用第二浮置扩散区,其中,第一二极管、第三二极管、第五二极管和第七二极管沿第一方向布置,其中,第一二极管和第七二极管沿第一方向彼此相邻,其中,第二二极管和第四二极管沿与第一方向垂直的第二方向布置,其中,第六二极管和第八二极管沿与第一方向垂直且与第二方向平行的第三方向布置,以及其中,第一浮置扩散区和第二浮置扩散区沿第一方向布置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的