[发明专利]在线改良晶圆表面平坦度的方法有效
申请号: | 201710311999.5 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN107344327B | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 李弘恺;王佩佩;金军;路新春;沈攀 | 申请(专利权)人: | 清华大学;天津华海清科机电科技有限公司 |
主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;H01L21/306 |
代理公司: | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄德海<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种在线改良晶圆表面平坦度的方法。其中方法应用于旋转型CMP设备上,CMP设备包括抛光头及其压力在线调节控制系统,抛光头包括多个压力分区,所述方法包括:确定晶圆表面材料层上的基准区;获取多个压力分区对应的晶圆表面分区的材料层厚度值;根据基准区的材料层厚度值与其余各分区的材料层厚度值,对各压力分区的压力值进行调整;根据各压力分区调整后的压力值,控制抛光头对晶圆表面进行材料去除。由此,通过改变抛光头各压力分区所施加的压力大小,可以实时调节晶圆表面相应分区的材料去除率,从而实现可控平坦化,进而实现在线改良晶圆表面平坦度的目的。 | ||
搜索关键词: | 在线 改良 表面 平坦 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在线改良晶圆表面平坦度的方法,所述方法应用于旋转型CMP设备上,其特征在于,所述CMP设备包括抛光头及其压力在线调节控制系统,所述抛光头包括多个压力分区,所述方法包括:/n确定晶圆表面材料层上的基准区,其中,所述基准区为所述晶圆表面多个分区的其中一个分区,或者,以晶圆表面的材料去除量的大小来确定所述基准区,其中,所述晶圆表面的材料去除的比较多,则以晶圆表面上材料层厚度稍薄的分区作为所述基准区,当所述晶圆表面的材料去除的比较少时,以晶圆表面上材料层厚度稍厚的分区作为所述基准区;/n获取所述多个压力分区对应的晶圆表面分区的材料层厚度值;/n根据所述基准区的材料层厚度值与其余各分区的材料层厚度值,对各压力分区的压力值进行调整;所述根据所述基准区的材料层厚度值与其余各分区的材料层厚度值,对各压力分区的压力值进行调整,包括:/n将所述基准区的材料层厚度值分别与所述其余各分区的材料层厚度值相差,得到所述基准区与所述其余各分区之间的厚度偏差;/n根据各压力分区的预设压力调节系数和所述基准区与所述其余各分区之间的厚度偏差,计算所述各压力分区的压力调节量;/n根据所述各压力分区的压力调节量,对相应分区的压力值进行调整;/n根据所述各压力分区调整后的压力值,控制所述抛光头对所述晶圆表面进行材料去除。/n
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