[发明专利]烧结体和非晶膜有效
| 申请号： | 201710312099.2 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN107254669A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 奈良淳史 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C04B35/453;C04B35/00;C04B35/64 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及烧结体和非晶膜。本发明的课题在于提供能够得到能够保持良好的可见光透射率和导电性的透明导电膜、尤其是低折射率的非晶膜的烧结体。这种薄膜的透射率高且机械特性优良，因此可用于显示器的透明导电膜、光盘的保护膜。本发明的目的在于由此提高光器件的特性、降低设备成本、大幅改善成膜的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 非晶膜 | ||
【主权项】：
一种薄膜，其为包含锌(Zn)、第一金属元素(M1)、第二金属元素(M2)、锗(Ge)和/或硅(Si)、氧(O)的氧化物烧结体，其特征在于，M1为选自由铝(Al)、镓(Ga)、硼(B)、钇(Y)和铟(In)组成的组中的一种以上元素，其中，第二金属元素为钇的情况下，第一金属元素的组中不包括钇，另外，第二金属元素为铟的情况下，第一金属元素的组中不包括铟，M2为选自由钇(Y)、铟(In)、锰(Mn)、镧(La)、钪(Sc)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、镱(Yb)、镥(Lu)、钷(Pm)组成的组中的一种以上元素，设M1的总含量以氧化物换算为A摩尔％、M2的总含量以氧化物换算为B摩尔％、Ge和/或Si的总含量以GeO2和/或SiO2换算为C摩尔％时，满足15≤A+B+C≤55的条件，第一金属元素(M1)和第二金属元素(M2)的总含量以(M1+M2)/(Zn+M1+M2)的原子数比计为10原子％以上且45原子％以下，Ge和/或Si的总含量为5≤C≤30，并且所述薄膜为非晶的。
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