[发明专利]基于量子阱结构的光开关器件

摘要

本发明公开了一种基于量子阱结构的光开关器件，包括衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；量子阱有源层从上到下依次包括第一势垒层、第一隔离层、第一沟道层、第二沟道层、第二隔离层和第二势垒层。本发明的量子阱有源区具有两个导电沟道，因此在导电沟道中不存在光生电子‑空穴之间的库伦吸引而造成的载流子迁移率不高的问题，使第一沟道层中光生电子迁移率大大提高，同时空穴不参与第一沟道的导电，从而避免了空穴迁移率低的问题，进而消除了光生电子‑空穴之间的库伦吸引的影响，使第一沟道层中光生电子迁移率大大提高，同时也消除了空穴迁移率低的缺陷。本发明只有高迁移率的电子参与第一沟道信号的传输，从而可以提升光开关的速度和频率特性。

主权项

1.一种基于量子阱结构的光开关器件，其特征在于：包括衬底(1)，衬底上生长缓冲层(2)，缓冲层上生长量子阱有源层；其中，量子阱有源层从上到下依次包括第一势垒层(8)、第一隔离层(7)、第一沟道层(6)、第二沟道层(5)、第二隔离层(4)和第二势垒层(3)。