[发明专利]树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备有效
| 申请号： | 201710315118.7 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN107238643B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 孔泳;张洁;顾嘉卫 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | G01N27/327 | 分类号： | G01N27/327 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备方法，包括以下步骤：制备包埋有非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚和L‑色氨酸的二氧化硅修饰氧化铟锡电极、制备树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极。本发明的有益效果：树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备方法廉价、环保、简单。 | ||
| 搜索关键词： | 树杈 分子 印迹 二氧化硅 修饰 氧化 电极 制备 | ||
【主权项】：
1.制备树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极，其特征在于：步骤如下：a、制备包埋有非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚和L‑色氨酸的二氧化硅修饰氧化铟锡电极：将4～6mM C20聚氧乙烯醚和1～3mM L‑色氨酸溶于体积比为2:1的乙醇和水混合溶液中，且将氧化铟锡电极浸入上述溶液中静置30min；然后移取40～60μL氨丙基三乙氧基硅烷、150～250μL四乙氧基硅烷和1mL 1～6M HCl溶液依次滴加进上述溶液中，反应3h之后，慢慢取出氧化铟锡电极，自然晾干，备用；b、制备树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极：将包埋有C20聚氧乙烯醚和L‑色氨酸的二氧化硅修饰氧化铟锡电极置于马弗炉中，300～600℃下煅烧2h可得树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极。
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