[发明专利]一种用于电子束发射度测量的微米量级转换靶装置有效
申请号: | 201710316119.3 | 申请日: | 2017-05-08 |
公开(公告)号: | CN106950590B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 李洪;江孝国;龙全红;刘云龙;叶毅;戴文华;王远;杨兴林 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
主分类号: | G01T1/29 | 分类号: | G01T1/29 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 王记明 |
地址: | 621000*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于电子束发射度测量的微米量级转换靶装置,包括一个下环座,下环座的上端面沿其轴线内凹形成有一个环状凹槽,还包括一个与下环座相匹配的上环座,上环座的下表面设置有向下凸出且与下环座的环状凹槽相匹配的凸环,上环座的凸环插入下环座的环状凹槽后,铺设在下环座上的薄膜被扩张形成镜面。本发明克服了石英薄片尺寸小、不便于清洗、极易破损、安装不便的缺点,达到了使用简便、维护方便、成本低的目的,并且在直径30~200mm各种口径范围内具有同样高的测量精度,相对于石英薄片只能50‑60mm直径而言,大大提高了适应的口径。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 电子束 发射 测量 微米 量级 转换 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于电子束发射度测量的微米量级转换靶装置,其特征在于:包括一个下环座(2),下环座(2)的上端面沿其轴线内凹形成有一个环状凹槽,还包括一个与下环座(2)相匹配的上环座(1),上环座(1)的下表面设置有向下凸出且与下环座(2)的环状凹槽相匹配的凸环,上环座(1)的凸环插入下环座(2)的环状凹槽后,铺设在下环座(2)上的薄膜(6)被扩张形成镜面;在所述上环座(1)凸环的内侧设置有一环状密封槽,在该环状密封槽内设置有一个侧面扩展密封圈(5);在所述下环座(2)的环状凹槽外侧壁上,设置有多个排气孔(8)。
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