[发明专利]DRAM虚焊的检测方法及装置有效
| 申请号： | 201710316239.3 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108877867B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 陈派林 | 申请（专利权）人： | 珠海全志科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08;G11C29/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑小粤;李双皓 |
| 地址： | 519080 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种DRAM虚焊的检测方法，包括：向待测试的DRAM颗粒的预设参考页面与待检测页面内写入相同的初始数据；将预设参考页面中的初始数据按预设长度分为依次排列的多组参考数据，在待检测行地址线对应的待检测页面中，按所述预设长度将待检测页面中的数据分为依次排列的多组待检测数据；依次交替读取一组参考数据与一组待检测数据，并对每次读取的所述参考数据与待检测数据进行对比运算，将每次的对比结果依次记录在错误标记值中；根据错误标记值判断DRAM颗粒是否存在虚焊。本发明还涉及一种检测装置。上述DRAM虚焊的检测方法及装置只针对页的一部分空间进行操作，而非针对整个页空间进行操作，效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | dram 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM虚焊的检测方法，其特征在于，所述方法包括：向待测试的DRAM颗粒的预设参考页面与待检测页面内写入相同的初始数据；将预设参考页面中的初始数据按预设长度分为依次排列的多组参考数据，在待检测行地址线对应的待检测页面中，按所述预设长度将待检测页面中的数据分为依次排列的多组待检测数据，所述预设参考页面与待检测页面位于同一块空间内；依次交替读取对应位置的一组参考数据与一组待检测数据，并对每次读取的所述参考数据与待检测数据进行对比运算，将每次的对比结果依次记录在错误标记值中；根据错误标记值判断DRAM颗粒是否存在虚焊。
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