[发明专利]二步烧结纳米银浆制备微电子互连材料的方法

摘要

本发明公开了一种二步烧结纳米银浆制备微电子互连材料的方法，将加热炉和加热台两种加热方式结合起来，既保证纳米银浆烧结过程中需要充足的氧气环境来分解纳米银浆中的有机物成分，使烧结更彻底，纳米银颗粒之间结合更加紧密，又改善了纳米银浆烧结过程中纳米银浆上下表面及内部受热不均的缺点，从而使纳米银浆烧结质量提高，采用这种低温混合加热烧结方法能提高纳米银浆烧结后的导热性和机械性能，一定程度地降低纳米银浆烧结后的空隙率，提高了微电子互连材料的导热效率，提高了纳米银浆的烧结成型微电子互连材料的品质，具有重要的产业价值。

主权项

一种二步烧结纳米银浆制备微电子互连材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：a.主要采用纳米银粉和有机溶剂进行均匀混合，制备纳米银浆混合液体系；b.将在所述步骤a中制备的得到的纳米银浆混合液体系进行真空加热烘干，去除有机溶剂，得到具有设定银质量分数和设定黏度的纳米银浆(3)；c.采用铜基板(1)作为衬底，将在所述步骤b中制备的纳米银浆(3)均匀地涂覆在铜基板(1)上，在铜基板(1)上形成纳米银浆膜，将芯片(4)覆盖在涂有纳米银浆(3)的位置上，并压紧铜基板(1)和芯片(4)，使芯片(4)和铜基板(1)紧密结合；d.将在所述步骤c中制备的铜基板(1)连同芯片(4)形成的待烧结组合体放入加热炉中进行第一次低温烧结，控制烧结时间为25‑60min，并控制烧结温度为240‑280℃，得到初步样品；e.将在所述步骤d中完成第一次低温烧结后的初步样品放在加热台上进行加热，继续进行第二次低温烧结，控制烧结时间为5‑10min，并控制烧结温度为250‑280℃，在二步加热烧结过程结束后，除去铜基板(1)，在芯片(4)最后得到具有设定导热互连结构(6)的纳米银热界面材料。