[发明专利]一种皮秒激光减薄切割多晶硅片的一体化加工方法

摘要

一种皮秒激光减薄切割多晶硅片的一体化加工方法，包括如下步骤：1、取原始多晶硅片裁剪为20mm×20mm的小块，利用粗糙度仪测得原始表面粗糙度小于0.4μm，利用螺旋测微仪测得硅片的原始厚度；2、利用脉冲宽度600ps的皮秒光纤激光器设定激光扫描区域15mm×15mm对表面进行减薄加工，激光的波长193‑1064nm，重复频率100‑1000KHz，输出功率1‑20W，激光扫描速度100‑500mm/s，扫描次数5‑15次；3、绘制激光切割轮廓线并调整激光参数进行硅片切割；4、利用仪器测量硅片表面的粗糙度、厚度及形貌，利用皮安计测试不同厚度硅片的I‑V曲线。

主权项

1.一种皮秒激光减薄切割多晶硅片的一体化加工方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：取原始多晶硅片裁剪为20mm×20mm的小块，利用粗糙度仪测得原始表面粗糙度小于0.4μm，利用螺旋测微仪测得硅片的原始厚度；步骤二：利用脉冲宽度600ps的皮秒光纤激光器设定激光扫描区域15mm×15mm对硅片表面进行减薄加工，激光的波长193‑1064nm，重复频率100‑1000KHz，输出功率1‑20W，激光扫描速度100‑500mm/s，扫描次数5‑15次；步骤三：绘制激光切割轮廓线并调整激光参数进行硅片切割，输出功率20W，激光扫描速度100mm/s，重复频率200KHz，扫描次数10次,激光的波长1064nm；步骤四：利用粗糙度仪测量激光减薄后硅片表面的粗糙度，减薄后表面粗糙度Ra小于1μm；利用螺旋测微仪测量减薄后的硅片厚度；利用基恩士三维共聚焦显微镜观察表面形貌，利用皮安计测试不同厚度硅片的I‑V曲线。