[发明专利]进一步提高LED出光效率的方法及其LED结构在审
| 申请号： | 201710316653.4 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN107123710A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 林兓兓;蔡吉明;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种进一步提高LED出光效率的方法及其LED结构，采用较低的生长温度及较高的NH3/H2比和低的V/Ⅲ及高生长速率于一次外延层上二次外延生长粗化层，制备表面粗化LED结构，增加其轴向出光强度，同时因第二半导体的增厚增加，增强了LED的抗静电能力，进一步提高其出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 进一步 提高 led 效率 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
进一步提高LED出光效率的方法，其具体包括如下步骤：S1、采用MOCVD法生长若干个外延片，所述外延片依次包括：衬底、以及位于所述衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；S2、外延片生长结束后，进行第一次退火工艺；S3、对退火后的外延片进行光电性能测试及外观检测；S4、挑选出光电性能优异及外观良好的外延片再次采用MOCVD法进行二次外延生长粗化层，得到表面粗化的外延片；S5、对二次生长后的外延片进行二次退火工艺。
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