[发明专利]使用PECVD沉积保形和低湿蚀刻速率的封装层的方法

摘要

本发明提供了使用PECVD沉积保形和低湿蚀刻速率的封装层的方法，具体提供了沉积具有低氢含量的保形、致密的含硅膜的方法。所述方法包括在将衬底暴露于含硅前体和反应物同时对等离子体施以脉冲，以促进主要基于自由基的脉冲等离子体增强化学气相沉积方法，以沉积保形含硅膜。所述方法还包括周期性地进行后处理操作，由此，对于使用脉冲等离子体PECVD沉积的每约20埃至50埃的膜，将沉积的膜暴露于惰性等离子体以致密化并降低沉积的膜中的氢含量。

主权项

一种处理容纳在处理室中的衬底的方法，所述方法包括：在低于约400℃的衬底温度下将含硅前体和反应物引入所述处理室；在引入所述含硅前体和所述反应物的同时点燃第一等离子体并对第一等离子体施以脉冲以产生自由基物质，以在所述衬底上形成含硅膜；以及在形成所述含硅膜之后，执行后处理操作，所述后处理操作包括：停止所述含硅前体的流和所述反应物的流；将后处理气体引入所述处理室；以及点燃第二等离子体以处理所述含硅膜，其中在对所述第一等离子体的所述施以脉冲期间的每个脉冲的持续时间介于约0.02ms和约5ms之间。