[发明专利]一种电子元件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710317613.1 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN107134481A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 夏超;张琦;吴良松;陈锃基 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第五研究所华东分所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215400 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种电子元件及其制备方法，电子元件包括衬底；位于衬底上的埋氧层；位于埋氧层上的漂移层，漂移层的上表面形成有窗口；位于窗口内壁或者窗口内壁以及窗口下表面的掺杂区；位于窗口内的绝缘层，绝缘层包括至少一个第一绝缘层和至少一个第二绝缘层；位于绝缘层内的一个金属场板，金属场板与掺杂区对应设置；位于漂移层上或者绝缘层上远离埋氧层一侧的源极电极、栅极电极以及漏极电极。采用上述技术方案，第一绝缘层和第二绝缘层的界面交界处引入电场峰值，金属场板处引入电场峰值，可以提升漂移层的平均电场，提升电子元件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电子元件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的埋氧层；位于所述埋氧层上远离所述衬底一侧的漂移层，所述漂移层的上表面形成有窗口，所述漂移层上表面为所述漂移层远离所述埋氧层一侧的表面；位于所述窗口内壁，或者所述窗口内壁以及所述窗口下表面的掺杂区；位于所述窗口内的绝缘层，所述绝缘层包括至少一个第一绝缘层和至少一个第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层沿第一方向排列，所述第一方向与所述漂移层的上表面平行；位于所述绝缘层内的一个金属场板，所述金属场板与所述掺杂区对应设置；位于所述漂移层上远离所述埋氧层一侧或者所述绝缘层上远离所述埋氧层一侧的源极电极、栅极电极以及漏极电极。
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