[发明专利]一种双栅电极的半导体晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710317833.4 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN107154436B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 彭勇 | 申请（专利权）人： | 合肥市华达半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区望江西路86*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种双栅电极的半导体晶体管，包括衬底和位于所述衬底上的第一栅电极；所述第一栅电极的两侧设置有陷阱区，所述陷阱区和第一栅电极上设置有第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层上设置有氧化层，所述氧化层的两侧分别设置有漏电极和源电极，所述氧化层上设置有半导体层，所述半导体层上设置有第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层上设置有第二栅电极；所述第一栅极绝缘层、漏电极、源电极及第二栅电极上方覆盖有绝缘层，所述绝缘层上开有连接孔，所述连接孔内壁设置有金属导电层。本发明通过对双栅电极的半导体晶体管的结构设计，具有功耗低、制作方便、结构简单和成本低的特点，降低半导体晶体管的制作工艺过程和复杂程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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