[发明专利]电子装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710318645.3 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108878399B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 颜孝璁;简育生;叶达勋 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 电子装置包含第一半导体晶粒、多个凸块以及基材。第一半导体晶粒包含第一导电特征。凸块设置于第一半导体晶粒，并连接第一导电特征。基材包含第二导电特征。凸块是电性连接于第二导电特征。第一导电特征、凸块以及第二导电特征是配置以形成至少一环状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置，包含：一第一半导体晶粒，包含一第一导电特征；复数个凸块，设置于该第一半导体晶粒，并连接该第一导电特征；以及一基材，包含一第二导电特征，其中该些凸块是电性连接于该第二导电特征，且该第一导电特征、该些凸块以及该第二导电特征是配置以形成至少一环状结构。
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