[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法

摘要

公开了一种半导体存储器装置及其制造方法。所述半导体存储器装置可以包括多个堆叠结构、竖直结构、绝缘间隔件和共源线。堆叠结构中的每一个可以包括交替且重复地堆叠在基底上的绝缘图案和导电图案。沟槽可以位于堆叠结构之间。竖直结构可以是形成在基底上以延伸穿过每个堆叠结构的阻挡件。绝缘间隔件可以位于沟槽的侧壁上。共源线可以形成在基底上以填充沟槽。沟槽可以具有比基底的顶表面高的第一部分和比基底的顶表面低的第二部分。第二部分可以在竖直方向上具有第一深度，第一部分可以在横向方向上具有第一宽度。第一深度可以小于第一宽度。

主权项

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：多个堆叠结构，位于基底上，所述堆叠结构中的每一个包括交替且重复地堆叠的绝缘图案和导电图案，所述堆叠结构之间的沟槽在与所述基底的表面平行的第一方向上延伸；竖直结构，延伸穿过所述堆叠结构中的每一个，所述竖直结构形成在所述基底上；绝缘间隔件，位于所述沟槽的侧壁上；以及共源线，位于所述基底上以填充所述沟槽，其中，所述沟槽具有比所述基底的顶表面高的第一部分以及比所述基底的所述顶表面低的第二部分，所述第二部分距离所述基底的所述顶表面在竖直方向上具有第一深度，所述第一部分在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一宽度，所述第一深度小于所述第一宽度。