[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710320459.3 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108878505B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 马洛宜·库马;林文新;林鑫成;李家豪;廖志成 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 郭晓宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包含半导体基底、第一阱和第二阱，半导体基底具有第一导电类型，第一和第二阱设置在半导体基底内，第一和第二阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型。半导体装置也包含第一顶层和第二顶层，第一顶层设置在半导体基底内，第一顶层从第一阱延伸至第二阱且具有第一导电类型，第二顶层设置在半导体基底内和第一顶层上，第二顶层从第一阱延伸至第二阱且具有第二导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体基底，具有一第一导电类型；一第一阱和一第二阱，设置在该半导体基底内，其中该第一阱和该第二阱具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；一第一顶层，设置在该半导体基底内，其中该第一顶层从该第一阱延伸至该第二阱，且该第一顶层具有该第一导电类型；以及一第二顶层，设置在该半导体基底内和该第一顶层上，其中该第二顶层从该第一阱延伸至该第二阱，且该第二顶层具有该第二导电类型。
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