[发明专利]一种多晶硅薄膜太阳能电池在审
| 申请号： | 201710320537.X | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN106910792A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋建宝 | 申请（专利权）人： | 无锡赛晶太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅薄膜太阳能电池，包括设置在底部的硅片，在所述硅片上依次设有背面ZnO基薄膜层、背面氮化硅钝化层、p+/n+型多晶硅籽晶层、p‑/n‑型多晶硅吸收层、n+/p+型a‑SiH发射层、TCO玻璃、正面ZnO基薄膜层、正面氮化硅钝化层以及多个电极。本发明工艺简单，光电转换效率显著增加，电池性能和稳定性高，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，包括设置在底部的硅片，在所述硅片上依次设有背面ZnO基薄膜层、背面氮化硅钝化层、p+/n+ 型多晶硅籽晶层、p‑/n‑型多晶硅吸收层、n+/p+型a‑Si：H发射层、TCO玻璃、正面ZnO基薄膜层、正面氮化硅钝化层以及多个电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡赛晶太阳能有限公司，未经无锡赛晶太阳能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710320537.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种移动终端的校准方法及装置
- 下一篇：一种定标转发机群时延的校准方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
