[发明专利]芯片级集成微流体散热模块及制备方法有效
申请号: | 201710321415.2 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN107293496B | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 黄旼;贾世星;朱健 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/473;B81B1/00;B81B7/04;B81C1/00;B81C3/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 陈鹏 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种芯片级集成微流体散热模块及制备方法,散热模块包括下层硅基微流体拓扑结构、上层硅基微流体拓扑结构以及功率芯片接口;下层微流体拓扑结构将冷却液在水平方向上引导分配至微喷孔阵列的下方,并将与功率芯片发生完热交换的废液收集引导。上层微流体拓扑结构提供冷却液流入流出的接口,将下层微流体拓扑中的冷却液在垂直方向上引导分配至发热功率芯片底部,热交换完成后的废液通过四周的微槽道流往底层微流体拓扑。本发明中冷却液可以通过微喷孔阵列直达芯片底部,其间没有任何中间层增加额外的热阻,不仅能够有效提高散热效率,还能够针对系统局部热点散热,降低散热系统的复杂程度和成本。 | ||
搜索关键词: | 芯片级 集成 流体 散热 模块 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种芯片级集成微流体散热模块,其特征在于,包括下层硅基微流体拓扑结构、上层硅基微流体拓扑结构以及功率芯片接口;所述下层硅基微流体拓扑结构和上层硅基微流体拓扑结构堆叠设置,上层硅基微流体拓扑结构的上表面开有凹槽,凹槽四周设置有一圈金属连接层,作为功率芯片接口;凹槽两侧设置有冷却液进口和冷却液出口,下层硅基微流体拓扑结构设置有与冷却液进口连通的下层冷却液导流槽道以及与冷却液出口连通的下层冷却液回流槽道,上层硅基微流体拓扑结构在凹槽内分别设置有与下层冷却液导流槽道连通的微喷孔阵列以及与下层冷却液回流槽道连通的冷却液回流口;冷却液经冷却液进口、下层冷却液导流槽道、微喷孔阵列垂直喷射至热源底部,完成热交换后经冷却液回流口、下层冷却液导流槽道以及冷却液出口排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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