[发明专利]一种磁控管用冷阴极结构和毫米波磁控管在审
| 申请号： | 201710321839.9 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN106981408A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黎深根;李凤玲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | H01J23/05 | 分类号： | H01J23/05 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁控管用冷阴极结构，包括底金属杆、套设于底金属杆一端的上屏蔽帽与下屏蔽帽、以及设置于上屏蔽帽和下屏蔽帽之间的冷阴极发射体，该冷阴极发射体包括交替设置的一次发射体和二次发射体，一次发射体位于该冷阴极发射体的两端。本发明还公开了一种包括冷阴极结构的毫米波磁控管，其中冷阴极发射体的厚度为0.62～6.5mm。本发明通过对一次发射体和二次发射体的交替设置，实现了一次电子和二次倍增现象的可靠互动，保证磁控管的可靠启动；采用本发明的冷阴极结构制得的磁控管无需灯丝加热，可瞬间启动，无明显启动迟滞时间，启动后电参数特性与热阴极磁控管一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 管用 阴极 结构 毫米波 磁控管 | ||
【主权项】：
一种磁控管用冷阴极结构，其特征在于，该冷阴极结构包括底金属杆、套设于底金属杆一端的上屏蔽帽与下屏蔽帽、以及设置于上屏蔽帽和下屏蔽帽之间的冷阴极发射体，该冷阴极发射体包括交替设置的一次发射体和二次发射体，一次发射体位于该冷阴极发射体的两端。
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