[发明专利]射频集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710322135.3 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108878385B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王晓川 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王仙子 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一个射频集成电路器件及其制造方法，涉及射频半导体技术领域，尤其是基于SOI衬底的CMOS晶体管之散热问题，该射频集成电路器件包括：购置于相互平行的第一界面和第二界面之间的第一半导体层，其厚度小于3微米；通过第一界面与第一半导体层相依附的第一介电质层；制备于第一介电质层和第一半导体层的第一晶体管；通过第二界面与第一半导体层相依附的第二介电质层，其厚度小于1微米；制备于第二介电质层表面与第一晶体管垂直相对的第一散热片体，所述第一散热片体为介电质，其导热系数为第二介电质层的5倍以上，根据本发明及其制造方法，可以有效地一定程度地解决射频晶体管的散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频集成电路器件，其特征在于，所述射频集成电路器件包括：第一半导体层，其具有第一界面和第二界面，所述第一半导体层厚度小于3微米；第一介电质层，其通过第一界面与第一半导体层相依附；半导体器件，其位于第一半导体层和第一介电质层内；第二介电质层，其通过第二界面与第一半导体层相依附，所述第二介电质层厚度小于1微米；以及散热片体，制备于第二介电质层与所述第一半导体层相背的表面，用于为所述半导体器件散热。
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