[发明专利]存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201710322968.X | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108878425B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种存储器及其形成方法，包括一下拉晶体管和一传输门晶体管，其中，所述传输门晶体管的沟道区域的长度大于所述下拉晶体管的沟道区域的长度，从而可使传输门晶体管的沟道电流小于下拉晶体管的沟道，如此一来，即可有利于提高所述存储器的β比率，进而可改善存储器的读取容限。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，其特征在于，包括一衬底、形成在所述衬底上的一下拉晶体管和一传输门晶体管，所述传输门晶体管的沟道区域的长度大于所述下拉晶体管的沟道区域的长度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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