[发明专利]功率半导体芯片，包括该芯片的子模组及压接式封装模块

摘要

本发明公开了一种功率半导体芯片，包括该芯片的子模组及压接式封装模块，芯片包括终端区，以及位于终端区内的有效区，有效区内设置有发射极区和栅极区。栅极区包括栅极电极、栅极母线，以及位于栅极电极外周的若干个外围栅极，栅极电极位于外围栅极包围区域的中心，栅极电极与外围栅极通过栅极母线相连。外围栅极包围的区域被栅极母线分隔成大小相同的若干子区域，该子区域内布置有发射极电极。外围栅极之间设置有断点，断点以中心和/或轴对称分布，位于外围栅极包围区域内和外围栅极外的发射极区通过断点连通。本发明能够解决现有模块难以实现各子模组间界面的均衡接触，以及结构和工艺复杂，成品率难以提高，难以实现批量制造的技术问题。

主权项

一种功率半导体芯片，其特征在于，芯片(1)包括：终端区(102)，以及位于所述终端区(102)内的有效区(110)，所述有效区(110)内设置有发射极区(103)和栅极区(202)；所述栅极区(202)包括栅极电极(105)、栅极母线(106)，以及位于所述栅极电极(105)外周的若干个外围栅极(107)，所述栅极电极(105)位于所述外围栅极(107)包围成的区域中心，所述栅极电极(105)与所述外围栅极(107)通过所述栅极母线(106)相连；所述外围栅极(107)包围成的区域被所述栅极母线(106)分隔成大小相同的若干个子区域，该子区域内布置有发射极电极(104)；所述外围栅极(107)之间设置有断点(112)，所述断点(112)以中心对称和/或轴对称结构分布，位于所述外围栅极(107)包围区域内和所述外围栅极(107)外的发射极区(103)通过所述断点(112)连通。