[发明专利]太阳能电池硅片的处理方法在审
| 申请号： | 201710324497.6 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107245760A | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 王永伟;朱杰;卫春燕;王猛;陈亮 | 申请（专利权）人： | 苏州日弈新电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人： | 李广 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池硅片的处理方法使用碱溶液在40‑90℃下对硅片表面进行化学腐蚀处理，以除去硅片表面的损伤层；将处理后的硅片在5‑40℃下浸入第一处理液中进行挖孔处理，然后在10‑40℃下浸入第二处理液中进行脱洗贵金属处理，其中，第一处理液包括氢氟酸、过氧化氢、贵金属离子和水，第二处理液包括氨水和水；将处理过的硅片在20‑40℃下浸入第三处理液进行扩孔处理，第三处理液包括氢氟酸、硝酸和水；将处理后的硅片水洗后浸入第四处理液进行修饰处理，第四处理液包括碱和水；将处理过的硅片在40‑90℃下浸入盐酸和过氧化氢的水溶液中以除去残余金属离子，然后在20‑40℃下浸入氢氟酸的水溶液中除去氧化层后，水洗、烘干。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 硅片 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池硅片的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)使用碱溶液在40‑90℃下对硅片表面进行化学腐蚀处理，以除去所述硅片表面的损伤层；(2)将步骤(1)处理后的硅片在5‑40℃下浸入第一处理液中进行挖孔处理，然后在10‑40℃下浸入第二处理液中进行脱洗贵金属处理，其中，所述第一处理液包括氢氟酸、过氧化氢、贵金属离子和水，所述第二处理液包括氨水和水；(3)将步骤(2)处理过的硅片水洗后在20‑40℃下浸入第三处理液中进行扩孔处理，所述第三处理液包括氢氟酸、硝酸和水；(4)将步骤(3)处理后的硅片水洗后浸入第四处理液中进行修饰处理，所述第四处理液包括碱和水；(5)将步骤(4)处理过的硅片水洗后在40‑90℃下浸入盐酸和过氧化氢水溶液的混合溶液中以除去残余金属离子，水洗，然后在20‑40℃下浸入氢氟酸的水溶液中以除去氧化层，水洗、烘干。
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