[发明专利]使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法

摘要

本发明涉及使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法。公开了用于在晶片上启用等离子体的膜沉积的系统和方法，其中使用多个频率的射频信号产生等离子体并且其中控制在多个频率的射频信号之间的相位角关系。在该系统中，提供了基座以支撑晶片。等离子体产生区域形成在所述基座上方。电极邻近所述等离子体产生区域设置，以使得射频信号能传输到所述等离子体产生区域中。射频电源向所述电极提供不同频率的多个射频信号。所述不同频率中的最低频率是基本频率，并且所述不同频率中的大于所述基本频率的每个频率是所述基本频率的偶次谐波。所述射频电源对所述多个射频信号中的每一个之间的相位角关系提供可变控制。

主权项

一种用于执行等离子体处理以在晶片上沉积膜的方法，其包括：将所述晶片定位在基座的暴露于等离子体产生区域的顶表面上；向所述等离子体产生区域提供工艺气体组合物，所述工艺气体组合物包括氧气和至少一种轰击气体；产生至少两种不同频率的射频信号，其中所述至少两种不同频率中的最低频率是基本频率，并且其中具有大于所述基本频率的频率的每个射频信号与所述基本频率的射频信号处于偶次谐波关系，并且其中具有大于所述基本频率的频率的每个射频信号与所述基本频率的所述射频信号处于固定的相位关系；将所产生的所述射频信号提供给电极以传输到所述等离子体产生区域内，所述射频信号在所述等离子体产生区域内将所述工艺气体组合物转变成等离子体，所述等离子体导致所述膜在所述晶片上沉积；以及调整所述至少两种不同频率中的每一种频率的射频信号之间的相位角关系，以控制沉积在所述晶片上的所述膜的参数。