[发明专利]一种掩膜版以及阵列基板的制备方法

摘要

本发明公开了一种掩膜版以及阵列基板的制备方法，该掩膜版包括：间隔设置、且为半透光区的至少两个第一子区域；设置于至少两个第一子区域之间的间隔处、且透光率大于第一子区域的至少一个第二子区域；当对光阻进行曝光时，第二子区域曝光的光阻厚度大于第一子区域曝光的光阻厚度，且当制作阵列基板时，至少一个第二子区域对应的位置为阵列基板的至少一个沟道。通过该掩膜版，可以在制作阵列基板时降低曝光与灰化的时间，节省能量。

主权项

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：/n第一区域，所述第一区域包括至少两个第一子区域，所述至少两个第一子区域间隔设置，且所述至少两个第一子区域为半透光区；/n第二区域，所述第二区域包括至少一个第二子区域，所述至少一个第二子区域设置于所述至少两个第一子区域之间的间隔处，且所述第二子区域的透光率大于所述第一子区域，其中，所述第二子区域是挖空区域或透光率大于所述第一子区域的实体区域，且当所述第二子区域是挖空区域时，所述第二子区域的宽度小于曝光机的解析能力；/n第三区域以及第四区域，所述第三区域以及所述第四区域分别紧靠所述第一区域的两边而设置；/n第五区域以及第六区域，所述第五区域以及所述第六区域分别紧靠所述第三区域以及所述第四区域远离所述第一区域的一边而设置；/n其中，所述第三区域以及所述第四区域为遮光区，所述第五区域以及所述第六区域为全透光区，当对光阻进行曝光时，所述第二子区域曝光的所述光阻厚度大于所述第一子区域曝光的所述光阻厚度，且当制作阵列基板时，所述至少一个第二子区域对应的位置为所述阵列基板的至少一个沟道。/n