[发明专利]一种功率半导体芯片，该芯片的光刻版及其曝光方法

摘要

本发明公开了一种功率半导体芯片，该芯片的光刻版及其曝光方法，方法包括：根据曝光场大小将大尺寸芯片划为两个以上的区域单元，根据芯片类型分为边角、边缘或中心区域单元的任一种，同一类型区域单元图形一致；将区域单元组合成光刻版，光刻版包括由芯片划分的所有区域单元类型，光刻版尺寸小于或等于芯片尺寸；利用遮光板选取光刻版上相应区域单元对硅片曝光；通过光刻机的硅片偏置和旋转设置，将曝光的区域单元图形转移至硅片相应位置，将剩余区域单元通过遮光板曝光窗口，及硅片偏置和旋转操作，逐一曝光。本发明能够解决现有芯片制作采用多块版拼接，光刻版数量多、成本大，拼接时容易造成误差，无法适用于具有复杂结构芯片制备的技术问题。

主权项

1.一种功率半导体芯片曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：S101)根据光刻机的曝光场大小通过分界线(3)将大尺寸的芯片(200)图形划分为两个以上的区域单元(300)，根据图形的类型将所述区域单元(300)划分为边角区域单元(4)、边缘区域单元(5)或中心区域单元(6)中的任一种类型，并保证同一类型区域单元(300)的内部图形完全一致；S102)将所述区域单元(300)组合成光刻版(100)，所述光刻版(100)包括由所述芯片(200)划分的所有区域单元(300)类型，所述光刻版(100)的尺寸小于或等于所述芯片(200)的尺寸，其中所述边角区域单元(4)或边缘区域单元(5)包含对准标记；S103)利用遮光板(7)选取所述光刻版(100)上的相应区域单元(300)对硅片进行曝光，第一个曝光的区域单元(300)为基准单元，并具有对准标记；S104)通过光刻机上的硅片偏置和旋转设置，将曝光的区域单元(300)图形转移至硅片的相应位置，通过显影形成基准单元，并通过基准单元的对准标记对准，将剩余的区域单元(300)通过所述遮光板(7)的曝光窗口(11)，及硅片偏置和旋转操作，逐一进行曝光；S105)完成所述芯片(200)所有区域单元(300)的曝光后进行显影，获得所述芯片(200)的第一层光刻图形，并进行刻蚀，完成所述芯片(200)的第一层工序；S106)利用第一层工序形成的对准标记，完成所述芯片(200)后续层的曝光、显影和刻蚀工艺。