[发明专利]半导体设备和半导体设备的反应腔室的清理方法有效

专利信息
申请号: 201710325667.2 申请日: 2017-05-10
公开(公告)号: CN108878241B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 郝亮 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01J37/305
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种半导体设备和该半导体设备的反应腔室的清理方法,属于半导体制造技术领域。所述半导体设备包括反应腔室,用于容纳待处理晶片,所述半导体设备还包括位于所述反应腔室的侧壁且靠近所述反应腔室顶部的进气清理组件,所述进气清理组件包括至少一个喷嘴,所述喷嘴可沿所述反应腔室的径向伸缩,以调节所述喷嘴伸入到所述反应腔室内部的长度,以清理位于所述反应腔室顶部的残留物。能够有效提高待处理晶片的加工良率,同时,还能够减少反应腔室维护后的恢复时间。
搜索关键词: 半导体设备 反应 清理 方法
【主权项】:
1.一种半导体设备,所述半导体设备包括反应腔室,用于容纳待处理晶片,其特征在于,所述半导体设备还包括位于所述反应腔室的侧壁且靠近所述反应腔室顶部的进气清理组件,所述进气清理组件包括至少一个喷嘴,所述喷嘴可沿所述反应腔室的径向伸缩,以调节所述喷嘴伸入到所述反应腔室内部的长度,以清理位于所述反应腔室顶部的残留物。
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