[发明专利]双沟槽场效应管及其制备方法

摘要

本发明提供一种双沟槽场效应管及制备方法，方法包括提供第一导电类型的衬底以及第一导电类型的掺杂层、制作深沟槽区结构、形成深沟槽电极、制作沟槽栅区结构、于掺杂层的表面形成第二导电类型层、于第二导电类型层的表面形成第一导电类型层、制作隔离层、制备源区接触电极、形成上电极、下电极，深沟槽区结构包括第一槽区和第二槽区，第一槽区具有第一厚度的氧化层，第二槽区具有第二厚度的氧化层，第一槽区的宽度小于第二槽区，第二厚度大于第一厚度。本发明通过将深沟槽电极设置为上下不同的两部分，在保证一定的第二厚度氧化层厚度的同时，实现了深沟槽电极之间距离的增大，从而有利于后续元器件的制备，简化了生产工艺，降低了制备成本。

主权项

一种双沟槽场效应管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：1)提供第一导电类型的半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成第一导电类型的掺杂层；2)于所述掺杂层中制作间隔排列的两个深沟槽区结构，所述深沟槽区结构包括靠近所述掺杂层上表面的第一槽区以及与所述第一槽区下方相连通的第二槽区，所述第一槽区表面具有第一厚度的第一氧化层，所述第二槽区表面具有第二厚度的第二氧化层，其中，所述第一槽区的宽度小于所述第二槽区的宽度，且所述第二厚度大于所述第一厚度；3)于所述深沟槽区结构内沉积导电材料以形成深沟槽电极；4)于所述深沟槽电极之间的所述掺杂层内制作沟槽栅区结构，且所述沟槽栅区结构与所述深沟槽电极之间具有预设间距；5)于所述第一导电类型的掺杂层的表面形成第二导电类型层；6)于所述第二导电类型层的表面形成第一导电类型层；7)于步骤6)所得到结构表面形成隔离层，并刻蚀所述隔离层以露出所述深沟槽电极以及欲制备源区接触电极的区域，然后沉积金属材料以形成上电极；8)减薄所述第一导电类型的半导体衬底，然后沉积金属材料以形成下电极。