[发明专利]包含接触结构的半导体装置有效
| 申请号： | 201710325741.0 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107731921B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 全辉璨;金昶和;河大元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L27/02;H01L23/535 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种包含接触结构的半导体装置。半导体装置包含限定下部有源区的隔离区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区以及第一栅极电极和第二栅极电极在下部有源区上。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区邻近于彼此。第一栅极遮盖图案和第二栅极遮盖图案分别在第一栅极电极和第二栅极电极上。第一接触结构和第二接触结构分别在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。下部绝缘图案在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。上部绝缘图案在第一接触结构与第二接触结构之间。氧化硅具有相对于形成上部绝缘图案、第一栅极遮盖图案以及第二栅极遮盖图案的绝缘材料的刻蚀选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 接触 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：第一隔离区，其限定下部有源区；第一鳍片有源区以及第二鳍片有源区，其安置于所述下部有源区上；第一栅极结构以及第二栅极结构，所述第一栅极结构与所述第一鳍片有源区重叠，所述第二栅极结构与所述第二鳍片有源区重叠，所述第一栅极结构以及所述第二栅极结构中的每一个包含栅极间隔物，以及栅极电极以及栅极遮盖图案，所述栅极电极以及栅极遮盖图案安置在所述栅极间隔物之间并且按顺序堆叠；第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区，所述第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区邻近于彼此安置，所述第一源极/漏极区安置在所述第一鳍片有源区的第一凹部中并且所述第二源极/漏极区安置在所述第二鳍片有源区的第二凹部中；第一接触结构以及第二接触结构，其分别安置于所述第一源极/漏极区以及所述第二源极/漏极区上；层间绝缘图案，其安置于所述第一隔离区上；下部绝缘图案，其安置在所述第一鳍片有源区与所述第二鳍片有源区之间；以及第一上部绝缘图案以及第二上部绝缘图案，所述第一上部绝缘图案与所述下部绝缘图案重叠并且安置在所述第一接触结构与所述第二接触结构之间，所述第二上部绝缘图案安置于所述层间绝缘图案上，其中所述层间绝缘图案具有相对于所述第一上部绝缘图案、所述第二上部绝缘图案以及所述栅极遮盖图案的刻蚀选择性。
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