[发明专利]增加电介质常数的PLZT电容器和方法有效
| 申请号： | 201710325781.5 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107369555B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | R·S·泰勒;M·R·费尔柴尔德;U·巴拉钱德拉;T·H·李 | 申请（专利权）人： | 德尔福技术有限公司;U芝加哥阿尔贡股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/33 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 陶瓷电容器(10)包括第一导电层(14)、靠近第一导电层(14)布置的第二导电层(18)、以及介于第一导电层(14)和第二导电层(18)之间电介质层(16)。电介质层(16)由锆钛酸铅镧材料(PLZT)形成，其中在25摄氏度和零伏特偏压、以及一万赫兹(10kHz)的激发频率下测量时，PLZT由大于125的电介质常数表征。一种用于增加锆钛酸铅镧材料(PLZT)的电介质常数的方法(20)包括沉积PLZT以形成陶瓷电容器(10)的电介质层(16)，以及将陶瓷电容器(10)加热至不高于300℃的温度的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 电介质 常数 plzt 电容器 方法 | ||
【主权项】：
一种陶瓷电容器(10)，包括：第一导电层(14)；第二导电层(18)，其被布置成靠近第一导电层(14)；以及电介质层(16)，介于所述第一导电层(14)和第二导电层(18)之间，所述电介质层(16)由锆钛酸铅镧材料PLZT形成，其中所述PLZT由在25摄氏度、零伏特偏压和一万赫兹(10kHz)的激发频率下测得的大于125的电介质常数来表征。
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