[发明专利]一种高k金属栅的化学机械研磨工艺建模方法和装置有效
| 申请号： | 201710325974.0 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108875098B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚;孙旭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高k金属栅的化学机械研磨工艺建模方法和装置。该建模方法和装置包括：将所述层间介质层研磨后的终止表面形貌融入金属栅建模过程，建立金属栅的化学机械研磨工艺仿真模型。如此，该建模方法考虑了高k金属栅器件的下层结构(即层间介质层)的表面形貌对上层结构(即金属栅)表面形貌的影响，从而更加准确可靠地模拟高k金属栅的化学机械研磨工艺，因此，该建模方法考虑考了高k金属栅的表面形貌的叠层效应，由该建模方法得出的高k金属栅的化学机械研磨工艺的仿真模型能够更为准确地反映高k金属栅化学机械研磨的真实过程，能够更为准确地模拟芯片表面形貌的实时变化以及图形依赖的表面缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 化学 机械 研磨 工艺 建模 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高k金属栅化学机械研磨工艺的建模方法，其特征在于，所述高k金属栅的化学机械研磨工艺包括：层间介质层化学机械研磨工艺和金属栅化学机械研磨工艺；所述建模方法包括：对层间介质层化学机械研磨工艺进行建模，得到层间介质层的化学机械研磨工艺仿真模型；利用所述层间介质层的化学机械研磨工艺仿真模型，计算层间介质层研磨后的终止表面形貌；将所述层间介质层研磨后的终止表面形貌融入金属栅建模过程，建立金属栅的化学机械研磨工艺仿真模型。
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