[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本公开涉及一种制造半导体器件的方法，该半导体器件具有用于具有晕环区域的分裂栅极MONOS存储器的存储单元，其防止了存储单元中的误写以及短沟道特性的恶化。在该方法中，在不同的离子注入步骤中形成用于MONOS存储器的存储单元中的漏极区域的第一扩散层和源极区域的第二扩散层。执行步骤使得第一扩散层具有比第二扩散层更小的形成深度。在形成各层之后，通过热处理扩散第一和第二扩散层内的杂质，以形成第一扩散区域和第二扩散区域。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在表面中具有第一导电类型的第一半导体区域；(b)通过第一绝缘膜在所述半导体衬底之上形成第一栅电极；(c)通过第二绝缘膜在所述半导体衬底之上形成第二栅电极，所述第二栅电极通过包含电荷累积区域的所述第二绝缘膜与所述第一栅电极的第一侧壁相邻；(d)在与所述第一栅电极的第二侧壁相邻的第一区域中，在所述半导体衬底的上表面中形成所述第一导电类型的第二半导体区域，所述第二侧壁与所述第一侧壁相对；(e)通过注入与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质，在所述第一区域中的所述半导体衬底的上表面中形成第一扩散层；(f)通过注入所述第二导电类型的杂质，在与所述第二栅电极的第三侧壁相邻的第二区域中，在所述半导体衬底的上表面中形成第二扩散层，所述第二扩散层具有的深度大于所述第一扩散层的深度，其中所述第二栅电极的第三侧壁与所述第一栅电极相对；以及(g)在至少进行步骤(d)、步骤(e)和步骤(f)中的任何一个步骤之后，加热所述半导体衬底，其中包括所述第一扩散层的漏极区域、包括所述第二扩散层的源极区域、所述第一栅电极和所述第二栅电极组成非易失性存储器的存储单元。