[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法有效

专利信息
申请号: 201710327016.7 申请日: 2017-05-10
公开(公告)号: CN107452589B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 久保田绅治 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/3065
代理公司: 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 刘新宇<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种不扩大离子能的分布地控制离子能、在低压且低等离子体密度的环境下稳定地维持等离子体的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置(10)具有处理容器(12)、载波群生成部(62)以及下部电极(LE)。载波群生成部(62)生成载波群,该载波群在频域中包括频率不同的多个载波,在时域中通过第一峰值部分与绝对值比第一峰值部分的绝对值小的第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示。下部电极(LE)使用载波群来在处理容器(12)内生成等离子体。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 以及 方法
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,具有:/n处理容器;/n载波群生成部,其用于生成载波群,该载波群在频域中包括频率不同的多个载波,在时域中通过第一峰值部分与绝对值比所述第一峰值部分的绝对值小的第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示;以及/n等离子体生成部,其使用所述载波群来在所述处理容器内生成等离子体,/n其中,基于所述第一峰值部分的出现,在所述处理容器内形成用于产生等离子体生成所需的放电的等离子体点火峰值电场;基于所述第二峰值部分的出现,在所述处理容器内形成用于产生维持等离子体所需的放电的等离子体维持电场。/n
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