[发明专利]用于原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)工艺的颗粒反应器有效
申请号: | 201710327808.4 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN107365974B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | G·V·达德黑奇;M·蔡;P·加吉尔 | 申请(专利权)人: | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 韦欣华;杨思捷 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种粉末涂覆装置反应器包括用于粉末材料的装载端口、用于一种或多种涂层前驱体的入口,以及具有内表面和多个轴向挡板的反应室。每个轴向挡板都从回转容器的反应室的内表面向内延伸。多个轴向挡板配置为在回转容器的旋转期间保持粉末材料在反应室内流动以促进粉末材料与一个或多个涂层前驱体之间的接触。粉末涂覆装置进一步包括位于装载端口处的旋转真空密封件。粉末涂覆装置还包括电机,电机能够在粉末材料与涂层前驱体在所述反应室中反应期间致动回转容器绕中心轴线旋转。还提供了用于使用这种反应器涂覆粉末材料的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 原子 沉积 ald 化学 cvd 工艺 颗粒 反应器 | ||
【主权项】:
一种粉末涂覆装置,其包含:回转容器,其包含用于接收粉末材料的装载端口、用于接收一个或多个涂层前驱体的入口,以及具有内表面和多个轴向挡板的反应室,其中所述多个轴向挡板中的每个轴向挡板都从所述回转容器的所述反应室的所述内表面向内延伸并且配置为在旋转期间保持所述粉末材料在所述反应室内流动以促进所述粉末材料与所述一个或多个涂层前驱体之间的接触;旋转真空密封件,其位于所述回转容器的所述装载端口;以及电机,其能够在所述粉末材料与所述涂层前驱体在所述反应室中反应期间致动所述回转容器绕中心轴线旋转。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的