[发明专利]一种可屏蔽有害离子释放的多孔羟基磷灰石/氮化钛生物活性涂层及用途有效

专利信息
申请号: 201710328710.0 申请日: 2017-05-11
公开(公告)号: CN106967956B 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 亓健伟;陈章波;贺丹枫;杨意鸣;王庆良 申请(专利权)人: 中国矿业大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16;A61L27/30;A61L27/32;A61L27/50
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 陈国强
地址: 221008 江苏省徐*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种可屏蔽有害离子释放的多孔羟基磷灰石/氮化钛生物活性涂层及用途,所述涂层包括由里到外设置的钛打底层、TiN梯度过渡、TiN层、羟基磷灰石梯度过渡层、多孔羟基磷灰石层,所述多孔羟基磷灰石层具有纳米介孔结构。具有纳米介孔结构的羟基磷灰石层可显著增强医用金属植入体的生物活性,诱导和促进新骨的生长,加速骨创伤的愈合;致密氮化钛过渡层的存在,可有效提高医用金属的耐磨耐蚀性和阻碍有害离子向人体释放,避免因有害离子导致的不良反应(如过敏等);此外,通过本发明所得涂层表面厚度和性能均匀、涂层与基体结合强度高、制备工艺简单。
搜索关键词: 一种 屏蔽 有害 离子 释放 多孔 羟基 磷灰石 氮化 生物 活性 涂层 用途
【主权项】:
1.一种可屏蔽有害离子释放的多孔羟基磷灰石/氮化钛生物活性涂层,其特征在于:所述涂层包括由里到外设置的钛打底层、TiN梯度过渡、TiN层、羟基磷灰石梯度过渡层、多孔羟基磷灰石层,所述多孔羟基磷灰石层具有纳米介孔结构;该涂层由以下步骤制备得到:步骤一,首先准备钛靶,并制备羟基磷灰石靶材;采用高纯钛作为钛靶;羟基磷灰石靶材采用尺寸为(10.0~30.0)×40.0×10.0mm3 的小块拼接而成,羟基磷灰石小块由粒径为0.1~5.0µm的羟基磷灰石粉末在氩气保护气氛下,采用载荷为50.0~100.0KN,温度为1000.0~1500.0℃下保压3.0~5.0小时压制成;步骤二,对基体进行预处理;步骤三,将预处理过的基体置于多靶位磁控溅射气相沉积系统真空溅射室内沉积多孔羟基磷灰石/氮化钛生物活性涂层;其中,分别采用直流反应磁控溅射技术和射频磁控溅射技术沉积氮化钛梯度过渡层和多孔羟基磷灰石层;步骤四,对得到的涂层进行后处理。
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