[发明专利]一种非制冷双色偏振红外探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201710328750.5 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107101728B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 邱栋;甘先锋;王鹏;王宏臣;陈文礼 | 申请（专利权）人： | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;B81C1/00 |
| 代理公司： | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 | 代理人： | 刘志毅 |
| 地址： | 264006 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非制冷双色偏振红外探测器，在非制冷双色红外探测器上制备两个偏振结构，所述非制冷双色红外探测器分为呈矩阵排列的四个区域：第一、三区域和第二、四区域，第一、三区域和第二、四区域形成高度不同的谐振腔。本发明还涉及制备上述探测器的方法，包括在第一、三区域和第二、四区域分别制作不同高度的谐振腔的步骤、分别溅射不同方阻值热敏层薄膜的步骤及在所述非制冷双色红外探测器的第一、三区域和第二、四区域分别制备偏振结构的步骤，能够在超低温(‑80℃～‑60℃)环境下工作和超高温(85℃～100℃)环境下工作，且具备偏振特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制冷 偏振 红外探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非制冷双色偏振红外探测器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.提供一未进行牺牲层释放的非制冷双色红外探测器，在所述非制冷双色红外探测器的第二保护层上沉积光栅牺牲层，并对光栅牺牲层进行图形化处理，在图形化处理的后的光栅牺牲层上沉积光栅支撑层；步骤2：在光栅支撑层上制备金属光栅结构；步骤3：结构释放，释放光栅牺牲层、第一牺牲层和第二牺牲层，形成非制冷双色偏振红外探测器。
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