[发明专利]一种NOR型浮栅存储器及制备方法

摘要

本发明实施例提供了一种NOR型浮栅存储器及制备方法，包括：衬底；形成在衬底表面的源极、漏极与沟道区，源极和漏极分别位于沟道区的两侧；形成在沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅；形成在浮栅侧壁的侧壁绝缘层；形成在源极和所述漏极上方的隔离绝缘层；浮栅高于所述侧壁绝缘层和所述隔离绝缘层；形成在隔离绝缘层、侧壁绝缘层和浮栅的上方的层间绝缘层；形成在层间绝缘层上方的控制栅；形成在所述控制栅上方的字线；源极和漏极复用为位线。本发明实施例提供了一种NOR浮栅存储器及制备方法，将源极和漏极复用为位线，简化了器件结构，并且增大了控制栅的面积，减小了每一个存储单元的尺寸，减小了源极和漏极的电阻。

主权项

1.一种NOR型浮栅存储器，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底表面的源极、漏极与沟道区，所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧；形成在所述沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅；形成在所述浮栅侧壁的侧壁绝缘层；形成在所述源极和所述漏极上方的隔离绝缘层；所述浮栅高于所述侧壁绝缘层和所述隔离绝缘层；形成在所述隔离绝缘层、所述侧壁绝缘层和所述浮栅的上方的层间绝缘层；形成在所述层间绝缘层上方的控制栅；形成在所述控制栅上方的字线；所述源极和所述漏极复用为位线。