[发明专利]一种栅金属汇流条芯片结构设计及其制作方法有效
| 申请号： | 201710329921.6 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107256857B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 崔磊;金锐;潘艳;温家良;赵岩;徐哲;朱涛;和峰;高明超;赵哿;王耀华;刘江 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种栅金属汇流条芯片结构设计及其制作方法，芯片结构自下而上依次包括金属电极117、衬底111、长条形元胞掺杂区112、长条梯形多晶栅113和绝缘层116；金属汇流条114 T型设于所述绝缘层116中部，其下表面与所述长条梯形多晶栅113电连接；正面金属电极115对称设嵌于所述绝缘层116上部，与n+/p+掺杂区欧姆接触，与长条梯形多晶栅113和金属汇流条114电隔离。本发明提供的技术方案，可以在不增加工艺步骤的前提下，更改版图结构设计，采用高信号传输速率的金属作为栅汇流条替代原有的多晶栅汇流条，一方面提高功率半导体器件单芯片动态一致性，另一方面增加栅控mos沟道区，提高有源区通流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 汇流 芯片 结构设计 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种栅金属汇流条芯片结构，其特征在于，所述芯片结构自下而上依次设置的金属电极(117)、衬底(111)、元胞掺杂区(112)、多晶栅(113)和绝缘层(116)；所述多晶栅(113)和绝缘层(116)间的所述多晶栅(113)面的横向中部设有T型金属汇流条(114)；所述绝缘层(116)的上表面横向两侧于所述T型金属汇流条(114)中的T型横划的两侧分别设有金属电极(115)；所述T型金属汇流条(114)下表面与所述多晶栅(113)电连接；正面金属电极(115)对称设嵌于所述绝缘层(116)上部，与n+/p+掺杂区欧姆接触，与多晶栅(113)和金属汇流条(114)电隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院，未经全球能源互联网研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710329921.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：用于非平面半导体器件架构的精密电阻器
