[发明专利]包含GaAs二维电子系统的层状结构、人工晶格及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710330785.2 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108878506A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 杨楚宏;刘广同 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11521 | 代理人： | 刘丹妮 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在GaAs二维电子系统上构建人工晶格的制备方法和应用，这种人工晶格的晶格周期可以人为地设计，具有一定的灵活性，在电子技术方面有着巨大的应用价值；可以从电子调节为空穴，即电子型器件与空穴型器件间的转换，在电子技术方面有着巨大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 人工晶格 制备方法和应用 二维电子系统 空穴 电子技术 层状结构 电子调节 晶格周期 电子型 人为地 构建 应用 转换 | ||
【主权项】：
1.一种包含GaAs二维电子系统的层状结构，其特征在于，所述层状结构包括：衬底和从下至上依次设置于所述衬底上的：GaAs/AlxGa1‑xAs超晶格层；第一GaAs层；二维电子气层，设置于第一GaAs层与第一AlxGa1‑xAs层界面处；第一AlxGa1‑xAs层；掺杂层；第二AlxGa1‑xAs层；以及第二GaAs层。
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