[发明专利]一种WSe2‑SnS2p‑n结纳米材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201710331219.3 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107345136A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 王笑;潘安练;朱小莉;刘建哲;徐良 | 申请（专利权）人： | 黄山博蓝特光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 245000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种WSe2‑SnS2 p‑n结纳米材料及其制备方法；属于层状合金材料复合结构制备技术领域。所述p‑n结纳米材料以WSe2层作为底层，在所述底层上堆叠有SnS2层；得到所述WSe2‑SnS2 p‑n结纳米材料。所设计的材料中，堆叠在底层上的SnS2层在垂直方向投影所得面积小于底层在垂直方向投影所得的面积。其通过严格控制参数的两次CVD沉积得到。本发明所设计WSe2‑SnS2 p‑n结纳米材料展现出了明显p‑n的特性，结区具有明显的整流特性。其用作光电探测器具有高速响应时间等优异特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 wse2 sns2p 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种WSe2‑SnS2p‑n结纳米材料；其特征在于：以WSe2层作为底层，在所述底层上堆叠有SnS2层；得到所述WSe2‑SnS2p‑n结纳米材料。
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