[发明专利]具有梯度成分太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710331491.1 申请日: 2017-05-11
公开(公告)号: CN107134507B 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 陈桂林;王伟煌;陈水源;黄志高 申请(专利权)人: 福建师范大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/032
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 张耕祥
地址: 350108 福建省福州*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及氧化物纳米颗粒制备太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜梯度成分的制备方法。首先通过低温固相反应合成含有铜和铟的氧化物纳米颗粒粉体形成前驱体浆料;将前驱体浆料在衬底上进行沉积形成铜铟氧化物前驱体薄膜,干燥后保存;将的前驱薄膜先后在硫气氛和硒气氛下进行退火,得到本发明所述的吸收层CISSe薄膜;将退火处理得到的CISSe,在硫气氛下进行表面快速硫化处理得到S/Se成分梯度结构的太阳能电池吸收层CuIn(S,Se)2薄膜。本发明具有合成工艺简单、制备设备不复杂、原料成本低廉、材料利用率高、可大面积均匀指标、薄膜成分以及厚度易控等优点,适用于大规模的工业生产。
搜索关键词: 具有 梯度 成分 太阳能电池 吸收 层铜铟硫硒 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种具有梯度成分太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜的制备方法,其特征在于:步骤一:通过一步低温固相反应合成含有铜和铟的氧化物纳米颗粒粉体,并将氧化物纳米颗粒分散于有机溶剂中形成固含量为285~300mg/ml稳定的前驱体浆料;步骤二:对衬底表面进行清洗,将步骤一所述前驱体浆料在衬底上进行沉积形成铜铟氧化物前驱体薄膜,其厚度控制在1~3μm之间,干燥后保存;步骤三:将在步骤二得到的含有铜和铟氧化物的前驱薄膜,先后在硫(S)气氛和硒(Se)气氛下,使用密闭或者流通的管式炉内进行退火,得到所述的吸收层CISSe薄膜;步骤四:将在步骤三退火处理得到的CISSe,在硫(S)气氛下进行表面快速硫化处理得到S/Se梯度成分结构的太阳能电池吸收层CuIn(S,Se)2薄膜。
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