[发明专利]具有梯度成分太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜的制备方法有效
申请号: | 201710331491.1 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107134507B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 陈桂林;王伟煌;陈水源;黄志高 | 申请(专利权)人: | 福建师范大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人: | 张耕祥 |
地址: | 350108 福建省福州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: |
本发明涉及氧化物纳米颗粒制备太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜梯度成分的制备方法。首先通过低温固相反应合成含有铜和铟的氧化物纳米颗粒粉体形成前驱体浆料;将前驱体浆料在衬底上进行沉积形成铜铟氧化物前驱体薄膜,干燥后保存;将的前驱薄膜先后在硫气氛和硒气氛下进行退火,得到本发明所述的吸收层CISSe薄膜;将退火处理得到的CISSe,在硫气氛下进行表面快速硫化处理得到S/Se成分梯度结构的太阳能电池吸收层CuIn(S,Se) |
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搜索关键词: | 具有 梯度 成分 太阳能电池 吸收 层铜铟硫硒 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有梯度成分太阳能电池吸收层铜铟硫硒薄膜的制备方法,其特征在于:步骤一:通过一步低温固相反应合成含有铜和铟的氧化物纳米颗粒粉体,并将氧化物纳米颗粒分散于有机溶剂中形成固含量为285~300mg/ml稳定的前驱体浆料;步骤二:对衬底表面进行清洗,将步骤一所述前驱体浆料在衬底上进行沉积形成铜铟氧化物前驱体薄膜,其厚度控制在1~3μm之间,干燥后保存;步骤三:将在步骤二得到的含有铜和铟氧化物的前驱薄膜,先后在硫(S)气氛和硒(Se)气氛下,使用密闭或者流通的管式炉内进行退火,得到所述的吸收层CISSe薄膜;步骤四:将在步骤三退火处理得到的CISSe,在硫(S)气氛下进行表面快速硫化处理得到S/Se梯度成分结构的太阳能电池吸收层CuIn(S,Se)2薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的