[发明专利]一种背照式窄带通日盲紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种背照式窄带通日盲紫外探测器，从下往上依次包括衬底，AlN缓冲层，组分渐变Al_x1Ga_1‑x1N短波滤波层，宽禁带半导体n+‑Al_x2Ga_1‑x2N欧姆接触层，宽禁带半导体非故意掺杂Al_x2Ga_1‑x2N本征吸收层，宽禁带半导体p型Al_x2Ga_1‑x2N欧姆层，p型Al_x3Ga_1‑x3N渐变层，p+型GaN欧姆接触层和p型欧姆接触电极；且上述材料上表面设有绝缘介质钝化层，宽禁带半导体n+‑Al_x2Ga_1‑x2N欧姆接触层和p型欧姆接触电极上均设有接触电极。本探测器可通过自身能带结构特性有效滤出杂波，增强对短波的抑制作用，实现窄带的日盲紫外光探测；探测器成本较低，有利于推广使用。

主权项

1.一种背照式窄带通日盲紫外探测器，其特征在于：包括/n衬底(101)，所述的衬底(101)为双面抛光蓝宝石衬底，以及/n设置在衬底(101)上方的AlN缓冲层(102)，以及/n设置在AlN缓冲层(102)上方的组分渐变Al_x1Ga_1-x1N短波滤波层(103)，所述组分渐变Al_x1Ga_1-x1N短波滤波层(103)中的Al组分为x2≤x1≤1，Al组分从1逐渐变化到x2，其中单层厚度为2nm～2μm，以及/n设置在组分渐变Al_x1Ga_1-x1N短波滤波层(103)上方的宽禁带半导体n+-Al_x2Ga_1-x2N欧姆接触层(104)，所述宽禁带半导体n+-Al_x2Ga_1-x2N欧姆接触层(104)的部分表面经刻蚀形成有n型欧姆接触台面(112)，以及/n设置在宽禁带半导体n+-Al_x2Ga_1-x2N欧姆接触层(104)上方的宽禁带半导体非故意掺杂Al_x2Ga_1-x2N本征吸收层(105)，以及/n设置在宽禁带半导体非故意掺杂Al_x2Ga_1-x2N本征吸收层(105)上方的宽禁带半导体p型Al_x2Ga_1-x2N欧姆层(106)，以及/n设置在宽禁带半导体p型Al_x2Ga_1-x2N欧姆层(106)上方的p型Al_x3Ga_1-x3N渐变层(107)，以及/n设置在p型Al_x3Ga_1-x3N渐变层(107)上方的p+型GaN欧姆接触层(108)，以及/n设置在p+型GaN欧姆接触层(108)上方的p型欧姆接触电极(109)；/n所述p型欧姆接触电极(109)和n型欧姆接触台面(112)的上表面设有绝缘介质钝化层(110)，所述的介质钝化材料为Al₂O₃，其中，在所述的绝缘介质钝化层(110)上开设有能显露电极的引线孔；/n在所述n型欧姆接触台面(112)和p型欧姆接触电极(109)上均设有接触电极(111)。/n