[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201710331845.2 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108878664A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李龙基;曹蔚然;王宇 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法与应用。本发明空穴注入材料为Nb掺杂MoS2形成的MoS2:Nb材料。本发明量子点发光二极管包括阳极层和阴极层，以及层叠结合在阳极层与阴极层之间的空穴注入层和量子点发光层，且所述空穴注入层与所述阳极层层叠结合，所述量子点发光层层叠结合在空穴注入层与阴极层之间。其中，空穴注入层的材料为Nb掺杂MoS2形成的MoS2:Nb材料。本发明量子点发光二极管以MoS2:Nb材料作为空穴注入层材料，这样，能够显著提高量子点发光二极管的空穴注入能力，从而使得发光层中载流子平衡，且浓度高，从赋予量子点发光二极管具有优异的光学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 发光二极管 空穴注入层 阴极层 发光层 阳极层 制备 掺杂 空穴注入层材料 空穴注入材料 空穴注入能力 载流子平衡 阳极 层叠结合 光学性能 应用 发光 赋予 | ||
【主权项】：
1.一种量子点发光二极管，其特征在于：包括阳极层和阴极层，以及层叠结合在阳极层与阴极层之间的空穴注入层和量子点发光层，且所述空穴注入层与所述阳极层层叠结合，所述量子点发光层层叠结合在空穴注入层与阴极层之间，其中，所述空穴注入层材料为MoS2:Nb材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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